IRF в схемах нагрузки

Хотелось как лучше.....Помогите, кто может!!!
В полумостовой схеме ключа, работающего на чисто емкостную нагрузку и управляемого от драйвера IRF2104 полевые транзисторы IRF830 с сопротивлением канала 1,5 Ома с целью снижения температура их нагрева были заменены на IRF3315 с сопротивлением канала 0,07 Ома.
Полученный эффект был обратным: температура корпуса оказалась в полтора раза выше при всех, казалось, при всех равных прочих условиях.
В чем ошибка или тонкость?
Режим работы схемы:
Напряжение питания драйвера IRF2104 15 В
Напряжение питания ключа 60 В
Емкость нагрузки 5 мкФ
Частота сигнала 100-300 Гц

Благодарю за внимание, Сергей RA3AC

а снаберы7
а форма сигнала по осцылу7
а амплитуда на затворах7

Возможен перекос полумоста. можно попробовать емкость от средней точки к нагрузке поставить