-
02.10.2007, 13:45 #1ra3acГость
IRF в схемах нагрузки
Хотелось как лучше.....Помогите, кто может!!!
В полумостовой схеме ключа, работающего на чисто емкостную нагрузку и управляемого от драйвера IRF2104 полевые транзисторы IRF830 с сопротивлением канала 1,5 Ома с целью снижения температура их нагрева были заменены на IRF3315 с сопротивлением канала 0,07 Ома.
Полученный эффект был обратным: температура корпуса оказалась в полтора раза выше при всех, казалось, при всех равных прочих условиях.
В чем ошибка или тонкость?
Режим работы схемы:
Напряжение питания драйвера IRF2104 15 В
Напряжение питания ключа 60 В
Емкость нагрузки 5 мкФ
Частота сигнала 100-300 Гц
Благодарю за внимание, Сергей RA3AC
-
02.10.2007, 16:58 #2
- Регистрация
- 29.11.2005
- Адрес
- Тула, Россия
- Возраст
- 45
- Сообщений
- 2,689
- Поблагодарили
- 136
- Поблагодарил
- 8
а снаберы7
а форма сигнала по осцылу7
а амплитуда на затворах773. Алексей (RA3POD)
-
02.10.2007, 17:08 #3
- Регистрация
- 12.09.2006
- Сообщений
- 153
- Поблагодарили
- 2
- Поблагодарил
- 0
Возможен перекос полумоста. можно попробовать емкость от средней точки к нагрузке поставить
/3 - Сергей г.Москва
|
Социальные закладки