"Подбор пар ГУ-80", это выше моего понимания. При паспортных разбросах 5.5+/-1 мА/В. Я б это мог допонять в транзисторах, где разбросы измеряются десятками раз по даташитам, но есть и методы "устаканивания" разбросов, резистор ООС в истоке, эммитере, катоде.
Вложение 206080